### 產品簡介

1N60H-VB是一款單路N溝道場效應管（MOSFET），采用平面技術，具有高達650V的漏極-源極電壓（VDS）和2A的漏極電流（ID）能力。該器件采用TO251封裝，適用于多種領域和模塊，提供可靠的性能和功率控制。

### 參數說明

- **型號:** 1N60H-VB TO251
- **封裝:** TO251
- **構造:** 單N溝道
- **VDS (漏極-源極電壓):** 650V
- **VGS (柵極-源極電壓):** ±30V
- **Vth (閾值電壓):** 3.5V
- **RDS(ON) (導通電阻):** 4300mΩ @ VGS=10V
- **ID (漏極電流):** 2A
- **技術:** 平面

### 應用領域和模塊示例

1. **低功率應用:** 由于其較低的漏極電流和高漏極-源極電壓特性，1N60H-VB適用于低功率應用，如電源管理、低功率逆變器等。

2. **LED驅動器:** 在LED照明領域，1N60H-VB可用作LED驅動器中的功率開關元件，幫助實現高效能量轉換和穩定的照明效果。

3. **工業控制:** 在工業控制系統中，1N60H-VB可用于驅動小型電機、控制傳感器和執行器等。

4. **電源逆變器:** 在較低功率的逆變器中，這款MOSFET可用于功率開關電路，如太陽能逆變器、UPS系統等。

5. **電池管理:** 在電池管理系統中，1N60H-VB可用于保護電池和控制充放電過程。

以上是一些1N60H-VB可應用的領域和模塊示例，但并不局限于此，具體應用取決于設計要求和系統需求。