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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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16CNE8N-VB TO220一種N-Channel溝道TO220封裝MOS管

型號: 16CNE8N-VB TO220
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO220封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

**16CNE8N-VB TO220 產品簡介:**

16CNE8N-VB TO220 是一款單通道 N 溝道 MOSFET,具有80V 的漏極-源極電壓(VDS),20V(±V)的柵極-源極電壓(VGS),和3V 的閾值電壓(Vth)。它采用溝道技術制造,具有優異的特性,適用于各種應用場合。

**16CNE8N-VB TO220 詳細參數說明:**

- 漏極-源極電壓(VDS):80V
- 柵極-源極電壓(VGS):20V(±V)
- 閾值電壓(Vth):3V
- 導通電阻(RDS(ON)):9mΩ @ VGS=4.5V;7mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流(ID):100A
- 技術:溝道

**適用領域和模塊示例:**

1. **電源模塊**:16CNE8N-VB TO220 可以用作高功率電源開關,例如電源適配器、電源管理模塊等。
2. **驅動模塊**:由于其較高的漏極電流和低導通電阻,適合用于驅動模塊,如電機驅動、照明驅動等。
3. **電源開關模塊**:在需要高效率和高功率密度的應用中,如工業控制、汽車電子等領域,16CNE8N-VB TO220 可以作為電源開關模塊的一部分。
4. **逆變器模塊**:在逆變器中,16CNE8N-VB TO220 可以用于控制功率開關管,實現直流到交流的轉換。

這些示例僅代表了一部分應用領域,16CNE8N-VB TO220 在實際應用中還有很多其他用途。

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