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Infineon

IPA65R280E6XKSA1

MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-FP

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IPA65R280E6XKSA1 器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    3.5 V
  • 連續(xù)漏極電流
    13.8 A
  • 輸入偏置電容@100V
    950 pF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電壓
    650 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@4.4A,10V
    280 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@440uA
    3.5 V
  • 柵極電荷@10V
    45 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    11 ns
  • 功率耗散
    32 W
  • 關(guān)閉延遲時間
    76 ns
  • 上升時間
    9 ns

Physical

  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 制造商封裝
    TO-220-FP

Compliance

  • RoHS
    yes

IPA65R280E6XKSA1 EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

IPA65R280E6XKSA1 數(shù)據(jù)手冊

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    來源
  • Infineon-IPI65R280E6-DS-v02_00-en.pdf
    1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip

IPA65R280E6XKSA1 圖片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

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