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      Infineon

      IRF6617TRPBF

      MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET

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      IRF6617TRPBF 器件參數(shù)

      Function

      • 額定電流
        14 A
      • 額定電壓
        30 V
      • 閾值電壓
        2.35 V
      • 閘/源截止電壓
        2.35 V
      • 連續(xù)漏極電流
        14 A
      • 輸入偏置電容@15V
        1.3 nF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電阻
        10.3 mΩ
      • 漏源電壓
        30 V
      • 漏源極擊穿電壓
        30 V
      • 漏源導通電阻@15A,10V
        8.1 mΩ
      • 漏源導通電阻
        8.1 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        2.35 V
      • 柵極電荷@4.5V
        17 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        11 ns
      • 功率耗散
        2.1 W, 42 W
      • 關閉延遲時間
        12 ns
      • 下降時間
        3.7 ns
      • 上升時間
        34 ns

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        5
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -40 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        MG-WDSON-5

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        yes
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      IRF6617TRPBF EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      IRF6617TRPBF 數(shù)據(jù)手冊

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        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      IRF6617TRPBF 圖片

      • Huaqiu Chip

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