CMOS反相器的電路圖設(shè)計(jì)
首先利用LTspice進(jìn)行電路圖設(shè)計(jì)的仿真,步驟如下:
1、添加pmos(nmos管同理):
注意:其中,mos管的初始方向都是同向的,所以PMOS要旋轉(zhuǎn)+倒置,其中CTRL+R的功能是旋轉(zhuǎn),而ctrl+E的功能是鏡像的作用。如圖所示:
2、設(shè)置兩mos管的參數(shù):
將鼠標(biāo)移至PMOS或者NMOS管上,待出現(xiàn)手指圖案時(shí)就點(diǎn)擊鼠標(biāo)右鍵,則會(huì)出現(xiàn)MOS管的設(shè)置窗口,本文將參數(shù)均設(shè)置為0.12u。
3、在電路輸入界面中的EDIT下拉菜單中找到DrawWire或點(diǎn)擊工具欄圖標(biāo),可以實(shí)現(xiàn)原件互連。而后,鼠標(biāo)放置在線的終端,單擊鼠標(biāo)右鍵,選擇LabelNet,設(shè)置應(yīng)的標(biāo)簽或者點(diǎn)擊工具欄圖標(biāo)
可放置地線,點(diǎn)擊工具欄圖標(biāo)
可以添加并設(shè)置輸入/輸出口。布線后結(jié)果如圖:添加其他器件及連接線,完成圖:
4、封裝:
5、接入信號(hào)源
電路做好后,在電路輸入端加激勵(lì)信號(hào)源,才能觀察到電路的反應(yīng)如何。接入信號(hào)源的步驟如下:第一步,在元器件庫(kù)中找到獨(dú)立電壓源Voltage;第二步,雙擊Voltage,讓它進(jìn)入畫圖界面;第三步,拖動(dòng)Voltage圖標(biāo),移到電路輸入端;第四步,右擊Voltage圖標(biāo),對(duì)它進(jìn)行設(shè)置。在彈出的的窗口中選擇PULSE,它的PULSE參數(shù)分別為(05v0.5ms1n1n1s2s10),這些參數(shù)表示為(低電平脈沖大小延時(shí)上升沿時(shí)間下降沿時(shí)間脈沖寬度脈沖周期仿真周期個(gè)數(shù)),如圖:
6、仿真設(shè)置
在運(yùn)行仿真命令之前,首先必須設(shè)置仿真類型。在電路原理圖輸入窗口中,找到Simulate選項(xiàng),單擊它,選中EditSimulationCmd。對(duì)CMOS反相器運(yùn)行Transient仿真,進(jìn)行功能和時(shí)序分析。在EditSimulationCmd選中Transient,然后在出現(xiàn)的對(duì)話框中進(jìn)行設(shè)置,Transient仿真設(shè)置后得到的結(jié)果如圖所示。
CMOS反相管的結(jié)果分析

評(píng)論