??? 關(guān)鍵詞:空間環(huán)境,太陽(yáng)電池,電弧放電
1 引 言
自七十年代起,美國(guó)和原蘇聯(lián)在同步軌道上的許多衛(wèi)星發(fā)生異常現(xiàn)象,包括:電源損壞,未得到指令;電子系統(tǒng)的邏輯狀態(tài)發(fā)生變化,姿態(tài)控制系統(tǒng)出錯(cuò),通訊中斷等等。如1973年6月2日美國(guó)同步軌道上一顆衛(wèi)星出了一次災(zāi)難性的電源事故,使其主要分系統(tǒng)失敗。針對(duì)這些故障,各國(guó)專家們?cè)隽舜罅康难芯亢驮囼?yàn)工作。在1972年以后,連續(xù)觀測(cè)到衛(wèi)星的異常與地磁亞爆的出現(xiàn)在時(shí)間上和空間上有著準(zhǔn)確的聯(lián)系,從而得出地磁亞爆可能引起衛(wèi)星出現(xiàn)故障的初步結(jié)論。
目前為止,人們對(duì)空間用太陽(yáng)電池進(jìn)行的大量研究工作,主要還在高能粒子輻照對(duì)太陽(yáng)電池?fù)p傷方面。由于各方面條件的制約,所進(jìn)行的研究大部分是模擬單一空間環(huán)境因素對(duì)太陽(yáng)電池的影響,而忽略了在實(shí)際空間環(huán)境中對(duì)太陽(yáng)電池陣乃至整個(gè)衛(wèi)星的作用是綜合協(xié)作效應(yīng)的結(jié)果。采取正確的地面模擬試驗(yàn),對(duì)于保證太陽(yáng)電池及太陽(yáng)電池陣長(zhǎng)期可靠地工作、保證按計(jì)劃提供衛(wèi)星需要的能源是至關(guān)重要的。
本文從帶電粒子輻照、衛(wèi)星特征氣體環(huán)境和太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)與電性能等幾方面,闡述結(jié)合環(huán)境效應(yīng)引起太陽(yáng)電池表面電弧放電的特性,從而為同步軌道上的長(zhǎng)壽命衛(wèi)星、太陽(yáng)能發(fā)電衛(wèi)星和太空站的設(shè)計(jì)與研究提供一定的依據(jù),以尋求解決衛(wèi)星表面充電、電弧放電問(wèn)題的有效方法。
2 空間環(huán)境特點(diǎn)
衛(wèi)星在地球同步軌道上運(yùn)行會(huì)遭遇等離子體轟擊而引起衛(wèi)星表面充電,等離子體可來(lái)自以下四個(gè)區(qū)域:
(1)等離子體層是低能量和高密度的等離子體區(qū)域,它在磁球?qū)拥慕貐^(qū)域內(nèi)占主要地位,它的外邊界是等離子層頂。等離子體層的特征是,等離子體密度為每立方厘米幾個(gè)粒子,等離子體溫度為幾個(gè)電子伏。如ATS-6衛(wèi)星的實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)為:等離子體溫度為4eV,等離子體密度為6個(gè)/厘米3。但在磁球?qū)觼啽陂g,等離子層明顯地向地球移動(dòng),而在同步軌道上再也觀測(cè)不到這些低能等離子體成份。
(2)環(huán)電流是溫度較高,而密度與等離子體層頂同量級(jí)的電子和離子區(qū)域。它的特征是密度為1個(gè)/厘米3,溫度為20~40keV。這種等離子體成分幾乎總存在于同步軌道上。
(3)捕獲邊界是能捕獲40keV電子的穩(wěn)態(tài)捕獲粒子區(qū)域。可以認(rèn)為,捕獲邊界是地球磁場(chǎng)作用下,粒子劇烈運(yùn)動(dòng)的區(qū)域和粒子動(dòng)能為控制因素區(qū)域之間的分界線。
(4)等離子體片是地球磁尾上的高溫等離子體區(qū)域,等離子體片的粒子溫度約幾千電子伏。在磁擾動(dòng)區(qū)間,幾千電子伏的等離子體注入到同步軌道中形成環(huán)電流,并伴隨著等離子體層頂向內(nèi)運(yùn)動(dòng),使在同步軌道上沒(méi)有低能量的粒子存在。這種綜合效應(yīng)會(huì)使衛(wèi)星表面被充電到幾千電子伏的電位。等離子體片內(nèi),平均質(zhì)子能量比平均電子能量大六倍。
3 空間環(huán)境引起的太陽(yáng)電池表面充電效應(yīng)
當(dāng)衛(wèi)星離開地球陰影區(qū)進(jìn)入太陽(yáng)光照區(qū)域時(shí),即處于所謂的半陰影狀態(tài),由于光子對(duì)太陽(yáng)電池表面的轟擊,從起初的中性原子中激發(fā)出光電子從而使原子變成質(zhì)子。雖然被激發(fā)出的光電子只有幾個(gè)電子伏的能量,但其速率通常大于等離子體的速率并且數(shù)量大,從而使太陽(yáng)電池表面的某個(gè)部分產(chǎn)生放電現(xiàn)象。圖1所示為模擬從陰影區(qū)進(jìn)入太陽(yáng)光照區(qū)時(shí)輻照充電的電介質(zhì)材料被加溫并釋放在陰影區(qū)積累的電荷,造成表面放電。所用的粒子是能量為2MeV的電子,在77K的溫度下進(jìn)行輻照。另外,在地磁亞爆期間,在同步軌道熱等離子體的作用下,太陽(yáng)電池表面會(huì)被充電到幾千伏甚至幾萬(wàn)伏的電位,從而導(dǎo)致電弧放電現(xiàn)象的發(fā)生〔1,2〕。
大量的觀測(cè)與研究表明〔10,11,12〕,由軌控發(fā)動(dòng)機(jī)的排出物、材料解析析氣產(chǎn)物等揮發(fā)性氣體成份所構(gòu)成航天器特征氣體環(huán)境,不僅可對(duì)太陽(yáng)電池、熱控涂層、光學(xué)鏡頭等造成沉積污染,還可在輻照的作用下與材料表面產(chǎn)生輻照化學(xué)反應(yīng),甚至在輻照的作用下導(dǎo)致特征氣團(tuán)的氣體分子電離,不但誘發(fā)熒光效應(yīng),而且還是造成航天器表面輻照帶電的一個(gè)輔助因素。從太陽(yáng)電池表面電弧放電的發(fā)射光譜可以看到,航天器特征氣體環(huán)境中的水蒸汽起著極其重要的作用,如圖4所示。而放電的強(qiáng)度主要取決于周圍水蒸汽的壓強(qiáng),隨著周圍水蒸汽壓強(qiáng)的不斷增大,放電的強(qiáng)度和頻率也不斷增高,如圖5所示。
對(duì)于低電壓太陽(yáng)電池的放電過(guò)程,前蘇聯(lián)學(xué)者ЛетинВ.А等人〔13〕曾用30~50keV的電子輻照太陽(yáng)電池部件和電介質(zhì)的結(jié)構(gòu)材料表面,來(lái)模擬磁層干擾的瞬間太陽(yáng)電池的電弧放電過(guò)程。通過(guò)電鏡和X射線衍射等分析手段得出電池蓋片表面的電弧放電對(duì)電池硅片有雙重作用。首先,由于連續(xù)放電使電池蓋片遭到破壞,從而對(duì)硅片的p-n結(jié)造成損傷。其次,在電弧放電的情況下,在電池蓋片正面產(chǎn)生的沖擊波不會(huì)對(duì)晶體產(chǎn)生損傷,但會(huì)在硅的基體中形成高密度位錯(cuò)變形區(qū)。眾所周知,輻照充電的電解質(zhì)表面(S)放電脈沖電流和它的壽命正比于S1/2。在時(shí)間t=1~5μs的情況下,放電的電流值不大于50A。電子輻照太陽(yáng)電池蓋片表面產(chǎn)生瞬間放電時(shí),同時(shí)伴有閃光現(xiàn)象,蓋片表面電勢(shì)發(fā)生明顯變化,見圖6。實(shí)驗(yàn)證明,同導(dǎo)體接觸的電介質(zhì)由于在其局部表面自由電荷的沉積和較高的電勢(shì),而促使了電弧放電的發(fā)生。
綜上所述,研究空間環(huán)境引起太陽(yáng)電池表面電弧放電時(shí),除了考慮空間環(huán)境因素直接的影響外,還應(yīng)注意到它同航天器特征氣體環(huán)境、自身設(shè)備所發(fā)射的高頻電磁波、太陽(yáng)電池的工作電壓及其自身結(jié)構(gòu)等多方面因素所造成的綜合協(xié)作效應(yīng)的影響。
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評(píng)論