在終端用戶半導體全面去美國化的趨勢下，國產SiC碳化硅MOSFET行業需以產品質量為核心，突破技術壁壘、重構產業鏈生態、強化標準與認證體系，并摒棄短視投機行為，才能在全球競爭中實現自立自強。結合行業現狀與未來方向，具體策略可歸納為以下六大維度：

一、技術深耕：突破核心工藝與可靠性瓶頸

優化器件結構與工藝

針對柵氧層易擊穿的行業痛點，通過鈍化技術和缺陷控制提升長期可靠性，例如BASiC基本的HTGB測試（+22V/3000小時）已達到國際主流標準，減少高溫高壓下的失效風險。

加速技術迭代與專利布局

聚焦SiC碳化硅MOSFET第三代技術如BASiC的B3M系列，縮小與國際巨頭（英飛凌、安森美）的差距，同時規避專利壁壘，建立自主知識產權體系。

推動8英寸晶圓量產，預計2027年后成本降低63%，打破國際廠商對高良率大尺寸晶圓的壟斷。

二、質量為先：建立全生命周期可靠性體系

嚴格標準化與測試認證

推動行業強制標準制定（如HTGB+22V/3000小時測試），淘汰虛標參數的低質產品如部分企業僅通過+19V/1000小時測試即宣稱“高可靠性”。

車規級認證深化：BASiC基本等企業通過AEC-Q101認證及PPAP流程，結合SiC碳化硅MOSFET柵氧可靠性工藝技術，建立客戶信任。

全鏈條質量管控

IDM模式（設計-制造-封裝一體化）確保工藝可控性，減少代工依賴導致的質量波動。例如BASiC基本自建SiC晶圓廠與SiC模塊封測線，保障車規級產品一致性。

公開對比測試數據（如HTGB原始數據，國際競品的開關損耗、高溫性能對比），增強市場透明度，扭轉“國產=低質”的刻板印象。

三、產業鏈協同：垂直整合與生態重構

供應鏈本土化與成本優化

依托天科合達、天岳先進的國產襯底材料，實現從外延生長到封裝的垂直整合，消除對美日供應鏈的依賴。

規模化量產6英寸晶圓，結合靈活定價策略（如40mΩ/1200V器件的成本較進口低20%-30%），加速替代超結MOSFET和進口SiC方案。

應用場景深度綁定

聚焦新能源汽車（主驅芯片、OBC）、光伏儲能等高增長領域，與頭部客戶共建參考設計，提供驅動芯片、熱仿真等配套服務，降低客戶遷移門檻。

模塊化集成（如基本股份Pcore?系列）替代英飛凌SiC模塊，通過高頻特性減少電感電容體積，優化系統級成本。

四、政策引導與資本理性化

政策紅利與產業集群建設

國家推動《碳化硅功率器件測試標準》等規范，優先采購國產器件（如2023年《汽車芯片推薦目錄》中占比達35%），并通過“鏈長制”打造深圳、無錫等產業集群。

專項基金支持核心技術（如銅燒結封裝工藝），對虛標參數企業實施黑名單制度，倒逼行業質量提。

資本長期投入與風險規避

避免盲目擴張低端產能（如部分企業壓縮驗證周期至3個月導致批量失效），引導資本投向襯底缺陷控制、驅動芯片國產化等“卡脖子”環節。

產學研協同（如高校聯合攻關界面態控制技術），形成技術分層，淘汰低效產能。

五、人才戰略與全球化視野

核心技術人才自主可控

吸引海外華人科學家歸國（如尹志堯模式），減少對外籍專家的依賴，構建本土化研發梯隊。

加強專利防火墻建設，規避國際巨頭技術封鎖風險（如BASiC基本通過自主研發規避英飛凌專利壁壘）。

全球化合作與標準制定

在自主可控基礎上參與國際標準制定（如JEDEC規范），避免閉門造車。例如BASiC基本的工業模塊設計兼容Press-Fit工藝，適配全球客戶需求。

六、摒棄短視投機：從“價格戰”到“價值戰”

全生命周期成本評估

引導客戶從“低價采購”轉向綜合評估效率、壽命與運維成本。例如SiC模塊通過降低散熱需求與能耗，全生命周期成本較IGBT低10%-30%。

典型案例：劣質器件導致新能源車企召回事件（損失數億元），凸顯短期逐利的災難性后果。

長期主義與技術輸出

頭部企業如BASiC基本通過20家車企的30多個車型定點，證明“性能+可靠性”的市場競爭力，逐步實現反向技術輸出如外資車企采購中國SiC模塊。

結語

國產SiC碳化硅MOSFET行業需以“技術突破為矛、質量管控為盾、產業鏈協同為基、政策人才為翼”，在去美國化浪潮中實現從“替代進口”到“全球引領”的跨越。唯有摒棄參數虛標、低價內卷的短視行為，方能將時代機遇轉化為持久競爭力，成為全球第三代半導體產業的核心力量。

審核編輯 黃宇