2nm芯片問世,可容納500億顆晶體管
今年五月份，IBM成功推出了2nm的測試芯片，可容納500億顆晶體管，IBM成功將500億個晶圓體容納在了指甲大小的芯片上，這標志著 IBM 在半導體設計和工藝方面實現了重大突破，對產業鏈企業都將有不小的幫助。
據了解，2nm芯片研制工藝在未來的制造工程中極有可能會發揮關鍵性的作用，這項技術預計可使芯片的性能提升 45%，能耗降低 75%，極大的滿足了半導體行業不斷增長的需求。
IBM已經率先完成了2納米技術的突破，2nm的實現可能性很大。2nm芯片還可以通過為處理器注入內核級創新來提升人工智能、云計算等前沿工作負載的功能，2nm技術上突破應該也還有很長的一段路要走。
值得關注的是，基于 2nm 的芯片即將在2025 年實現量產。
本文綜合整理自半導體行業觀察 數碼密探 網易
審核編輯：彭靜
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
芯片
+關注
關注
460文章
52520瀏覽量
441081 -
IBM
+關注
關注
3文章
1823瀏覽量
75835 -
晶體管
+關注
關注
77文章
10020瀏覽量
141731 -
2nm
+關注
關注
1文章
210瀏覽量
4795
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
下一代高速芯片晶體管解制造問題解決了！
晶體管的密度，同時減少了芯片的橫向面積。
相比傳統的FinFET和納米片晶體管，叉片晶體管能夠顯著減少nFET和pFET之間的間距，從而在相同的芯片
發表于 06-20 10:40
臺積電2nm良率超 90%！蘋果等巨頭搶單
當行業還在熱議3nm工藝量產進展時，臺積電已經悄悄把2nm技術推到了關鍵門檻！據《經濟日報》報道，臺積電2nm芯片良品率已突破 90%，實現重大技術飛躍！
晶體管電路設計（下）
晶體管，FET和IC，FET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設計，源極跟隨器電路設計，FET低頻功率放大器的設計與制作，柵極接地放大電路的設計，電流反饋型OP放大器的設計與制作，進晶體管
發表于 04-14 17:24
手機芯片進入2nm時代，首發不是蘋果？
電子發燒友網綜合報道，2nm工藝制程的手機處理器已有多家手機處理器廠商密切規劃中，無論是臺積電還是三星都在積極布局，或將有數款芯片成為2nm工藝制程的首發產品。 ? 蘋果A19 或A20 芯片
發表于 03-14 00:14
?1625次閱讀
臺積電分享 2nm 工藝深入細節：功耗降低 35% 或性能提升15%!
下），同時其晶體管密度是上一代3nm制程的1.15倍。這些顯著優勢主要得益于臺積電的全柵極（Gate-All-Around, GAA）納米片晶體管、N2 NanoFlex設計技術協同優
IBM與Rapidus在多閾值電壓GAA晶體管技術的新突破
Rapidus 的 2nm 制程生產流程之中。 IBM 宣稱，當制程推進到 2nm 階段時，晶體管的結構會從長久以來所采用的 FinFET（鰭式場效應晶體管）轉換為 GAAFET（全
如何測試晶體管的性能 常見晶體管品牌及其優勢比較
壞，引腳是否彎曲或斷裂。 2. 極性測試 二極管測試 ：使用萬用表的二極管測試功能，檢查晶體管的基極和發射極之間的正向和反向電壓降。 3. 電流增益測試 直流電流增益 ：測量
晶體管與場效應管的區別 晶體管的封裝類型及其特點
晶體管與場效應管的區別 工作原理 ： 晶體管 ：晶體管（BJT）基于雙極型晶體管的原理，即通過控制基極電流來控制集電極和發射極之間的電流。
聯發科攜手臺積電、新思科技邁向2nm芯片時代
近日，聯發科在AI相關領域的持續發力引起了業界的廣泛關注。據悉，聯發科正采用新思科技以AI驅動的電子設計自動化（EDA）流程，用于2nm制程上的先進芯片設計，這一舉措標志著聯發科正朝著2nm芯
世芯電子成功流片2nm測試芯片
近日，高性能ASIC設計服務領域的領先企業世芯電子（Alchip）宣布了一項重大技術突破——成功流片了一款2nm測試芯片。這一里程碑式的成就，使世芯電子成為首批成功采用革命性納米片（或全能門GAA）晶體管架構的IC創新者之一。
Rapidus計劃2027年量產2nm芯片
Rapidus，一家致力于半導體制造的先鋒企業，正緊鑼密鼓地推進其2027年量產2nm芯片的計劃。然而，這一雄心勃勃的目標背后，是高達5萬億日元（約合336億美元）的資金需求。
晶體管的輸出特性是什么
晶體管的輸出特性是描述晶體管在輸出端對外部負載的特性表現，這些特性直接關系到晶體管在各種電路中的應用效果和性能。晶體管的輸出特性受到多種因素的影響，包括輸入信號、電源電壓、溫度以及
NMOS晶體管和PMOS晶體管的區別
NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）類型，它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從結構、工作原理、性能特點、應用場景等方面詳細闡述NMOS晶體管
CMOS晶體管和MOSFET晶體管的區別
CMOS晶體管和MOSFET晶體管在電子領域中都扮演著重要角色，但它們在結構、工作原理和應用方面存在顯著的區別。以下是對兩者區別的詳細闡述。
消息稱三星電子再獲2nm訂單
三星電子在半導體代工領域再下一城，成功獲得美國知名半導體企業安霸的青睞，承接其2nm制程的ADAS（高級駕駛輔助系統）芯片代工項目。
工商網監
評論