SGT-MOS結構及轉移特性詳解
SGT-MOS結構
屏蔽柵側壁氧化層厚度：0.7um
屏蔽柵底部氧化層厚度：0.5um
屏蔽柵隔離氧化層厚度：0.3um
屏蔽柵寬度：0.4um
屏蔽柵縱向長度：3.4um
（2）SGTMOS轉移特性
SGT（split-gate-trench，分裂柵極溝槽）結構因其具有電荷耦合效應，在傳統溝槽mosfet垂直耗盡（p-body/n-epi結）基礎上引入了水平耗盡，將器件電場由三角形分布改變為近似矩形分布。在采用同樣摻雜濃度的外延規格情況下，器件可以獲得更高的擊穿電壓，該結構在中低壓功率器件領域得到廣泛應用。
MOS器件第一個深溝槽（Deep Trench）作為“體內場板”在反向電壓下平衡漂移區電荷，這樣可以降低漂移區的電阻率，從而降低器件的比導通電阻（RSP）和柵極電荷（Qg）。
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